ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপের কাজের নীতি
ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপ (ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপ, সংক্ষেপে TEM) {{0}}.2um এর চেয়ে ছোট মাইক্রোস্ট্রাকচারগুলি দেখতে পারে যা অপটিক্যাল মাইক্রোস্কোপের নীচে স্পষ্টভাবে দেখা যায় না। এই কাঠামোগুলিকে বলা হয় সাবমাইক্রোস্ট্রাকচার বা আল্ট্রাস্ট্রাকচার। এই কাঠামোগুলি পরিষ্কারভাবে দেখতে, মাইক্রোস্কোপের রেজোলিউশন বাড়ানোর জন্য একটি ছোট তরঙ্গদৈর্ঘ্য সহ একটি আলোর উত্স বেছে নিতে হবে। 1932 সালে, রুস্কা আলোর উত্স হিসাবে একটি ইলেক্ট্রন মরীচি সহ একটি ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপ আবিষ্কার করেছিলেন। ইলেকট্রন রশ্মির তরঙ্গদৈর্ঘ্য দৃশ্যমান আলো এবং অতিবেগুনি রশ্মির তুলনায় অনেক কম এবং ইলেকট্রন রশ্মির তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্গত ইলেকট্রন রশ্মির ভোল্টেজের বর্গমূলের বিপরীতভাবে সমানুপাতিক, অর্থাৎ ভোল্টেজ যত বেশি। ছোট তরঙ্গদৈর্ঘ্য। বর্তমানে, TEM এর রেজোলিউশন 0.2 nm এ পৌঁছাতে পারে।
ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপের কাজের নীতি হল যে ইলেক্ট্রন বন্দুক দ্বারা নির্গত ইলেকট্রন রশ্মি ভ্যাকুয়াম চ্যানেলে মিরর বডির অপটিক্যাল অক্ষ বরাবর কনডেন্সারের মধ্য দিয়ে যায় এবং কনডেনসার দ্বারা একটি তীক্ষ্ণ, উজ্জ্বল এবং অভিন্ন আলোক স্থানে ঘনীভূত হয়। , এবং নমুনা চেম্বারে নমুনা আলোকিত করে। চালু; নমুনার মধ্য দিয়ে যাওয়ার পর ইলেক্ট্রন রশ্মি নমুনার ভিতরে কাঠামোগত তথ্য বহন করে, নমুনার ঘন অংশের মধ্য দিয়ে যাওয়া ইলেকট্রনের পরিমাণ কম এবং স্পার্স অংশের মধ্য দিয়ে যাওয়া ইলেকট্রনের পরিমাণ বেশি; অবজেক্টিভ লেন্সের ফোকাসিং এবং প্রাথমিক ম্যাগনিফিকেশনের পর, ইলেকট্রন রশ্মি মধ্যবর্তী লেন্স নিম্ন পর্যায়ে প্রবেশ করে এবং প্রথম এবং দ্বিতীয় প্রজেকশন মিররগুলি ব্যাপক বিবর্ধন ইমেজিং সম্পাদন করে এবং অবশেষে বিবর্ধিত ইলেকট্রনিক চিত্রটি পর্যবেক্ষণ কক্ষের ফ্লুরোসেন্ট স্ক্রিনে প্রক্ষেপিত হয় ; ফ্লুরোসেন্ট স্ক্রিন ব্যবহারকারীদের পর্যবেক্ষণ করার জন্য ইলেকট্রনিক ইমেজকে একটি দৃশ্যমান আলোর ছবিতে রূপান্তর করে। এই বিভাগটি যথাক্রমে প্রতিটি সিস্টেমের মূল কাঠামো এবং নীতির পরিচয় দেবে।
ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপ ইমেজিং নীতি
ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপের ইমেজিং নীতিকে তিনটি পরিস্থিতিতে ভাগ করা যায়:
1. শোষণ চিত্র: যখন ইলেকট্রন উচ্চ ভর এবং ঘনত্বের সাথে একটি নমুনাকে আঘাত করে, তখন প্রধান ফেজ-গঠনের প্রভাবটি বিক্ষিপ্ত হয়। যেখানে নমুনার ভর এবং পুরুত্ব বড়, সেখানে ইলেকট্রনের বিক্ষিপ্ত কোণ বড়, এবং কম ইলেকট্রন অতিক্রম করে এবং চিত্রের উজ্জ্বলতা গাঢ়। প্রারম্ভিক সংক্রমণ ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ এই নীতির উপর ভিত্তি করে ছিল।
2. ডিফ্র্যাকশন ইমেজ: ইলেক্ট্রন রশ্মি নমুনা দ্বারা বিচ্ছুরিত হওয়ার পরে, নমুনার বিভিন্ন অবস্থানে বিচ্ছুরিত তরঙ্গ প্রশস্ততা নমুনায় স্ফটিকের প্রতিটি অংশের বিভিন্ন বিচ্ছুরণ শক্তির সাথে মিলে যায়। বিচ্ছুরিত তরঙ্গের প্রশস্ততা বন্টন অভিন্ন নয়, যা স্ফটিক ত্রুটিগুলির বিতরণকে প্রতিফলিত করে।
3. ফেজ ইমেজ: যখন নমুনাটি 100Å এর চেয়ে পাতলা হয়, তখন ইলেকট্রনগুলি নমুনার মধ্য দিয়ে যেতে পারে এবং তরঙ্গের প্রশস্ততা পরিবর্তন উপেক্ষা করা যেতে পারে এবং ইমেজিংটি ফেজ পরিবর্তন থেকে আসে।
ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপির ব্যবহার
ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি ব্যাপকভাবে পদার্থ বিজ্ঞান এবং জীববিজ্ঞানে ব্যবহৃত হয়। যেহেতু ইলেক্ট্রনগুলি সহজেই বিক্ষিপ্ত বা বস্তু দ্বারা শোষিত হয়, অনুপ্রবেশ কম, এবং নমুনার ঘনত্ব এবং বেধ চূড়ান্ত চিত্রের গুণমানকে প্রভাবিত করবে। পাতলা আল্ট্রাথিন বিভাগগুলি অবশ্যই প্রস্তুত করতে হবে, সাধারণত 50-100 এনএম। অতএব, ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপ দ্বারা পর্যবেক্ষণের জন্য নমুনাটি খুব পাতলাভাবে প্রক্রিয়া করা দরকার। সাধারণত ব্যবহৃত পদ্ধতিগুলি হল: অতি-পাতলা সেকশনিং, হিমায়িত অতি-পাতলা সেকশনিং, ফ্রিজ-এচিং, ফ্রিজ-ফ্র্যাকচার ইত্যাদি। তরল নমুনার জন্য, এটি সাধারণত একটি pretreated তামার গ্রিডে ঝুলন্ত দ্বারা পরিলক্ষিত হয়।
