ট্রান্সমিশন ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপির রেজোলিউশনকে প্রভাবিত করার কারণগুলি কী কী?
উ: ঘটনা ইলেক্ট্রন বিমের স্পট ব্যাস: এটি ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপ স্ক্যান করার মীমাংসা ক্ষমতার সীমা। সাধারণত, হট ক্যাথোড ইলেকট্রন বন্দুকের ন্যূনতম বিমের স্পট ব্যাস 6nm-এ হ্রাস করা যেতে পারে এবং ক্ষেত্র নির্গমন ইলেক্ট্রন বন্দুক 3nm-এর চেয়ে ছোট বিমের স্পট ব্যাস করতে পারে।
বি. নমুনায় ঘটনা ইলেকট্রন রশ্মির সম্প্রসারণ প্রভাব: বিস্তারের মাত্রা ঘটনা বিমের ইলেকট্রনের শক্তি এবং নমুনার পারমাণবিক সংখ্যার উপর নির্ভর করে। আপতিত রশ্মির শক্তি যত বেশি হবে, নমুনার পারমাণবিক সংখ্যা তত কম হবে, ইলেকট্রন রশ্মির আয়তন তত বেশি হবে এবং ইলেকট্রন রশ্মির প্রসারণের সাথে যে এলাকায় সংকেত উৎপন্ন হবে তা বৃদ্ধি পাবে, যার ফলে রেজোলিউশন হ্রাস পাবে।
C. ইমেজিং পদ্ধতি এবং মড্যুলেশন সিগন্যাল ব্যবহার করা হয়: যখন সেকেন্ডারি ইলেক্ট্রন মডুলেশন সিগন্যাল হিসাবে ব্যবহার করা হয়, তার কম শক্তি (50 eV-এর কম) এবং ছোট গড় মুক্ত পথ (প্রায় 10-100 nm), শুধুমাত্র পৃষ্ঠ স্তরের কারণে of 50-100 nm গভীরতার সীমার গৌণ ইলেকট্রনগুলি কেবল নমুনা পৃষ্ঠ থেকে পালাতে পারে, এবং বিক্ষিপ্ত হওয়ার সংখ্যা খুবই সীমিত, এবং মূলত পার্শ্বীয়ভাবে প্রসারিত হয় না। অতএব, সেকেন্ডারি ইলেক্ট্রন ইমেজের রেজোলিউশন প্রায় মরীচি স্পটটির ব্যাসের সমান। যখন ব্যাকস্ক্যাটারড ইলেক্ট্রনগুলিকে মডুলেশন সিগন্যাল হিসাবে ব্যবহার করা হয়, তখন ব্যাকস্ক্যাটারড ইলেক্ট্রনগুলির শক্তি তুলনামূলকভাবে বেশি হয় এবং ভেদ করার ক্ষমতা শক্তিশালী হয়, তাই তারা নমুনার গভীর এলাকা থেকে পালাতে পারে (কার্যকর গভীরতার প্রায় 30 শতাংশ)। এই গভীরতার পরিসরে, ঘটনা ইলেকট্রনগুলির একটি মোটামুটি প্রশস্ত পার্শ্বীয় প্রসারণ রয়েছে, তাই ব্যাক-স্ক্যাটারড ইলেক্ট্রন চিত্রের রেজোলিউশন সেকেন্ডারি ইলেক্ট্রন চিত্রের তুলনায় কম, সাধারণত প্রায় 500-2000nm। যদি অন্যান্য অপারেশন মোড যেমন ইলেক্ট্রন শোষণ, এক্স-রে, ক্যাথোডোফ্লোরেসেন্স, মরীচি-প্ররোচিত কন্ডাক্টেন্স বা সম্ভাব্য মডুলেশন সংকেত হিসাবে ব্যবহার করা হয়, যেহেতু সংকেতগুলি সম্পূর্ণ ইলেক্ট্রন বিম বিচ্ছুরণ এলাকা থেকে আসে, প্রাপ্ত স্ক্যানিং চিত্রগুলির রেজোলিউশন তুলনামূলকভাবে কম। , সাধারণত l 000 nm বা উপরে l0000nm।
